《表1 不同隧穿磁阻传感芯片主要性能参数》

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《基于隧穿磁阻效应的宽频微小量程电流传感器设计及噪声分析》

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为提高传感器的小电流探测能力，所使用的隧穿磁阻传感芯片应当具有高灵敏度和低噪声的特点。选取商业化生产的2款隧穿磁阻传感芯片作为本文使用的芯片，其主要参数如表1。其中芯片噪声水平以表示，n T为磁场单位；灵敏度单位为m V/（V·Oe），代表单位磁场单位电压供电下的芯片输出电压。