《表1 测试温度区间：晶圆测试温度对探针卡PCB基板材料影响的研究》

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《晶圆测试温度对探针卡PCB基板材料影响的研究》

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针对不同测试阶段、不同项目以及期望周期，最终会设定不同的测试温度[5]。比在DRAM芯片测试时，一般早夭不良测试、电容续航测试、电容漏电测试、数据传送测试会选用高温，而电容储存能力测试、电容写入测试、放大器测试等往往会选择在常温或低温条件下进行。业界常见的测试温度区间一般分为如表1。