《表2 实验与仿真中稳态温度对比》

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《基于PLECS的SiC逆变器热设计研究》

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实验过程中（见图11），环境温度为27℃。采用红外测温仪，每隔1 min测量散热器表面温度与Si C MOSFET单管壳温，得到实验温度波形如图12所示。为了将实验与仿真进行对比，将稳态下散热器表面温度与Si C MOSFET单管壳温的仿真值与实验值记录于表2中。由表中可以看出，实测结果与仿真结果较为吻合，存在误差是由于实际热阻模型与理想热阻模型存在较小的差异所致。因此，散热设计满足SiC逆变器的散热需求。