《表1 辐照实验前后测试结果（总剂量100krad(Si))》

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《CMOS图像传感器抗电离辐射加固技术研究》

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总剂量为100krad(Si）时，测得辐照前后CMOS图像传感器的读出噪声和暗电流，如表1所示。从表中可以看出，当CMOS图像感器受到辐照后，器件的读出噪声和暗电流都增大。