《表2 传感器总耐受剂量：CMOS图像传感器的γ射线电离辐照实验研究》

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《CMOS图像传感器的γ射线电离辐照实验研究》

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将选定的CMOS图像传感器送入辐照室内进行辐照实验，把样品划分为两组同时进行实验，将样品分别放置在用重铬酸银剂量计实测剂量率为23 Gy/h、44 Gy/h的计量点环境下进行。实验传感器总耐受剂量参数如表2所示。