《表3 单独施加0.5 W时对应芯片的结温计算结果和仿真结果对比情况》
根据式(13)-(15)可以计算出各层芯片单独施加0.5 W时对应的结温,在对某一层芯片施加功耗后,其余两层芯片不施加功耗,其温度计算结果和仿真结果的比较情况如表3所示。其中T3为die3单独施加0.5 W后考察die3的结温,T2表示die2单独施加0.5 W后考察die2的结温,T1的含义类似。在此基础上,继续得到各层芯片单独施加1 W和2.5 W时对应的结温,将计算结果和仿真结果进行比较,如表4、5所示。
图表编号 | XD00132216400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.02.25 |
作者 | 张琦、蔡志匡、王子轩、孙海燕、郭宇锋 |
绘制单位 | 南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京邮电大学电子与光学工程学院微电子学院、南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京邮电大学电子与光学工程学院微电子学院、南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京邮电大学电子与光学工程学院微电子学院、南通大学专用集成电路设计重点实验室南通、南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京邮电大学电子与光学工程学院微电子学院 |
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