《表1 Device A1和device A2的性能参数》

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《利用B_3PyPPM:Cs改善磷光有机电致发光器件性能》

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式中：η0表示不存在激子淬灭时的EQE；ηTTA和ηTPQ分别表示TTA和TPQ时EQE的值；J0和Je分别表示TTA和TPQ模型中的EQE下降到η0一半时的电流密度，即临界电流密度；J表示电流密度；m表示正整数。图2(a）、（b）分别为device A1和device A2的EQE-电流密度曲线及TTA模型曲线。由图2可知：device A1在低电流密度下符合TTA模型，但是在高电流密度下偏离较多，说明未进行N掺杂的器件在高电流密度下，由于B3PyPPM的电子迁移率较低，大量的电子堆积于阴极和电子传输层界面，发光层内大量多余空穴会引起激子的淬灭，出现TPQ现象[10]，因此device A1在高电流密度下，同时存在TTA和TPQ两种现象，加剧了器件效率的滚降；而device A2符合TTA模型，说明N掺杂提高了电子注入的效率，增加了发光层中电子的数量，改善了载流子平衡[13]，消除了TPQ现象。