《表1 器件Device T和Device S性能对比》

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《基于B_3PyMPM∶Cs高效叠层OLED器件的制备》

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叠层器件Device T与传统器件Device S的结构如图2所示，图3为Device T与Device S的特性曲线，表1为Device T和Device S性能对比．可以看出，在5mA/cm2电流密度下，传统器件Device S的驱动电压和亮度分别为3.84V和2 469cd/m2，而叠层器件Device T的驱动电压和亮度分别为7.83V和7 036cd/m2，分别为传统器件的2.04倍和2.84倍，说明电荷能够有效地在CGU内产生，电子能顺利注入靠近ITO的发光单元的电子传输层[10]．叠层器件Device T的最大电流效率达172.2cd/A，为传统器件的2.18倍，在1 000cd/m2亮度下，电流效率仍可达165.4cd/A，效率滚降仅为3.9%．电流效率的计算公式为[11]