《表1 刻划深度对原子去除个数的影响》

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《立方碳化硅CMP过程中机械作用分子动力学仿真》

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调整压入深度分别为1.0、1.5、2.0 nm，磨粒半径均为3.0 nm，刻划速度均为100 m/s，其温度和切削力变化分别如图5、6所示.分析可知，刻划深度越大，磨粒与工件之间相互挤压、剪切及摩擦的原子越多，原子热振动频率越大，温度也就更高；同时刻划深度越大，磨粒所受阻力也越多，切削力也越大，在本仿真中切削力为千n N级别.对脱离工件上表面的原子数量进行统计，即刻划结束后z坐标高于模型高度8.6 nm的原子，从而分析材料去除效果，其统计如表1所示，可知，刻划深度越大，原子去除率越高，且变化非常明显.