《表1 刻划实验参数表Tab.1》

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《单向复合材料C/SiC纳米刻划实验研究》

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实验利用单颗金刚石磨粒对制成的C/SiC试样进行刻划，采用单因素实验研究刻划过程中纤维方向（横向、法向、纵向）和刻划速率对磨粒作用下的复合材料去除机理的影响。采用立方角压头对试件表面进行刻划。刻划工艺分为3个步骤:预扫描、刻扫描和后扫描。实验参数如表1所示。此外，为了保证实验的准确性和可重复性，每组实验条件进行3次重复性实验。