《表3 刻划速度对原子去除个数的影响Table 3The effect of scratching speed on the number of atoms removed》

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《立方碳化硅CMP过程中机械作用分子动力学仿真》

由图9和10可以看出，刻划速度的改变对切削力几乎没有影响，而刻划速度越小，工件温度就拥有更多的时间将温度传递给恒温层，故温度越低.由表3可知，刻划速度的提高也会提高原子去除数量，但影响不是很大，其原理是快速运动的磨粒会使脱离基体的碳化硅原子运动更远，从而减少弹性恢复所需的距离和时间.

图表编号	XD0010526900 严禁用于非法目的
绘制时间	2018.06.01
作者	翟文杰、杨德重
绘制单位	哈尔滨工业大学机电工程学院、哈尔滨工业大学机电工程学院
更多格式	高清、无水印（增值服务）

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