《或记论 记忆电路新理论新技术》求取 ⇩

第一章“或记”逻辑的重要发现1

1.1 无记忆电路与记忆电路2

1.1.1 无记忆电路2

1.1.2 记忆电路2

1.1.3 记忆器件对人类进步起着巨大作用5

1.2 异类或逻辑5

1.2.1 输入值域和输出值域5

1.2.2 异类输出输入6

1.2.3 异类或逻辑6

1.2.4 异类或门举例7

1.3 同类或逻辑11

1.3.1 同类输出输入11

1.3.2 同类或逻辑11

1.3.3 同类或门举例11

1.4 记忆链18

1.4.1 记忆链定义18

1.4.2 稳记链19

1.4.3 数字暂记链20

1.4.4 模拟暂记链23

1.5 或记逻辑的重要发现26

1.5.1 记忆链原理26

1.5.2 取代记忆两准则26

1.5.3 或记逻辑26

1.5.4 信号或记电路27

1.6 大量或记逻辑事实38

1.6.1 74LS08电路的或记功能38

1.6.2 LSTTL或型低电平或记门的或记功能45

1.6.3 74LS32电路的或记功能56

1.6.4 LSTTL或型高电平或记门的或记功能62

1.6.5 CC4081电路的或记功能73

1.6.6 CC4071电路的或记功能79

1.6.7 T1008电路的或记功能85

1.6.8 T1032电路的或记功能91

1.6.9 TTL或型低电平或记门的或记功能97

1.6.10 CMOS单输入或记门丰富的或记功能108

第二章或记电路稳记定律121

2.1 或记电路稳记定律表述121

2.1.1 或记电路稳记定律的内容及或记代数表达式121

2.1.2 稳记细胞的逻辑图123

2.2 稳记细胞或记代数表达式的由来123

2.2.1 等效逻辑电路与等效逻辑函数125

2.2.2 两等效逻辑函数定律126

2.2.3 “或非化同类或”定律134

2.2.4 “或非化同类或”定律和摩根定律的关系139

2.2.5 信号或记电路或记代数表达式的由来140

2.2.6 稳记细胞或记代数表达式的由来142

2.3 三类常用稳记细胞143

2.3.1 三类常用稳记细胞的特点143

2.3.2 低电平稳记细胞145

2.3.3 稳记低电平新电路和原电路对比举例148

2.3.4 高电平稳记细胞202

2.3.5 稳记高电平新电路和原电路对比举例204

2.3.6 高低电平稳记细胞223

2.3.7 稳记高低电平新电路和原电路对比举例224

2.4 或记电路稳记定律的理论证明230

2.4.1 用低电平稳记细胞的实态时域逻辑图来证明230

2.4.2 用低电平稳记细胞的实态时域或记代数表达式来证明237

2.4.3 用稳记细胞实态时域逻辑图来证明240

2.4.4 用稳记细胞实态时域或记代数表达式来证明244

第三章或记电路暂记定律一249

3.1 或记电路暂记定律一表述249

3.1.1 或记电路暂记定律一的内容及或记代数表达式249

3.1.2 单值暂记细胞的逻辑图253

3.2 三类常用暂记细胞254

3.2.1 三类常用暂记细胞的特点254

3.2.2 低电平暂记细胞257

3.2.3 新、原低电平暂记器对比举例259

3.2.4 高电平暂记细胞277

3.2.5 新、原高电平暂记器对比举例278

3.2.6 暂记器的指数动取域294

3.2.7 高低电平暂记细胞—脉冲振荡器300

3.2.8 脉冲振荡器举例302

3.3 或记电路暂记定律一的理论证明306

3.3.1 低电平信号？由CMOS低电平暂记器C端输入的实态时域工况逻辑图及其或记代数表达式306

3.3.2 低电平信号？由CMOS低电平暂记器I端输入的实态时域工况逻辑图及其或记代数表达式309

3.4 暂记时间三要素——定时电平、电阻、电容312

3.4.1 暂记器的定时电平决定指数动取域、充得电压比和放失电压比的大小312

3.4.2 暂记器暂记时间的三要素—定时电平、电阻、电容326

3.4.3 定时电平直接影响暂记器暂记时间长短的实验331

3.4.4 定时电平直接影响脉冲振荡器脉空大小的实验355

3.4.5 新、原环形振荡器367

第四章或记电路暂记定律二369

4.1 或记电路暂记定律二表述369

4.1.1 或记电路暂记定律二的内容及或记代数表达式369

4.1.2 或记电路暂记定律二中若干概念及符号含义370

4.2 三类常用模拟暂记器374

4.2.1 三类常用模拟暂记器的特点374

4.2.2 三类常用模拟暂记器举例376

4.3 或记电路暂记定律二的实验387

4.3.1 低模暂记器的实验387

4.3.2 高模暂记器的实验392

4.3.3 双模暂记器的实验394

5.1 运放单输入或记门396

第五章或记三定律在模拟电路中的应用396

5.2 运放双模暂记器397

5.2.1 运放双模暂记器的工作原理及特点398

5.2.2 运故双模暂记器的实验399

5.3 运放多功能新脉冲振荡器404

5.3.1 运放多功能新脉冲振荡器的工作原理404

5.3.2 运放多功能新脉冲振荡器的多种振荡功能及特点405

5.3.3 运故多功能新脉冲振荡器的实验409

5.4.1 运放新高电平暂记器415

5.4 运放新暂记器415

5.5 运放单脉冲发生器416

5.4.2 运放新低电平暂记器416

5.5.1 运放单脉冲发生器一417

5.5.2 运放单脉冲发生器二417

5.5.3 运放单脉冲发生器三417

第六章万能基本新器件419

6.1 概述419

6.2 万能基本新器件的优点420

6.3 万能基本新器件ZC01422

6.3.1 ZC01的组成422

6.3.2 ZC01功能简介424

6.4 万能基本新器件ZL03435

6.4.1 ZL03的组成435

6.4.2 ZL03功能简介435

7.1 或记之间固有的内在密切关系447

7.2 或记之间固有的外在密切关系447

第七章或记之间关系447

7.2.1 不接记忆链448

7.2.2 接稳记链448

7.2.3 接新单值暂记链448

7.2.4 接双值暂记链448

7.2.5 接模拟暂记链449

7.3.1 表示法450

7.3.2 线路图表示法450

7.3 或记之间关系表示法450

7.3.3 逻辑图表示法456

7.3.4 或记代数表示法458

7.4 逻辑记忆学460

7.5 记忆电路的实态实域460

7.5.1 用实态时域描述记忆460

7.5.2 实态时域逻辑等式462

7.6 结语472

符号表477