《表2 NDI衍生物受体材料与P3HT的BHJ OSC器件性能》

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《P3HT/非富勒烯受体异质结有机太阳电池》

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虽然基于NDI的小分子材料性能不及PDI类小分子材料，但NDI类聚合物受体通常比PDI的聚合物受体表现出更加丰富的光学及电学性质，如基于NDI的经典n型聚合物N2200。如前所述，调节参与共聚的单体类型，可有效调节共轭聚合物光学性质及前线轨道能级，从而解决NDI带隙过宽的问题，使NDI类OSC器件获得更好的性能。Jenekhe等[27]研究了NDI和双硒酚共聚，形成了新的NDI聚合物B8。该聚合物具有较高的LUMO，能与P3HT的HOMO形成较大的差值，利于器件开路电压的提升。此外，该聚合物在成膜时具有有序的层状晶体结构，改善了器件的电荷迁移率，PCE为0.88%。Yang等[28]通过对NDI聚合物侧链基团的调整，合成NDI-三苯胺交替共聚物B9和B10，其带隙分别为1.94 e V和1.84 eV，均下降至2.00 eV以下。可见，NDI聚合物可以通过调节共聚的单元，从而有效减低NDI本身较宽的能隙。从已有研究来看，与PDI类小分子材料不同的是，NDI作为聚合物受体材料的构筑单元，具有更大的优势及应用潜力。