《表1 PDI衍生物受体材料与P3HT的BHJ OSC器件性能》
从表1~5的数据可以看出,含不同受体单元的非富勒烯受体的器件参数表现出一定的规律性。例如,含四个强吸电子羰基的PDI及NDI衍生物与P3HT构建的BHJ OSC器件的Voc通常不超过1 V,这主要可归因于PDI及NDI的低LUMO能级。与PDI及NDI不同的是,DPP单元仅含两个羰基,其LUMO值通常高于PDI及NDI,P3HT/DPP衍生物的BHJ OSC器件通常表现出较高的Voc值,一般高于1 V。表6列举了P3HT给体与各种受体单元衍生物的BHJ OSC器件最佳性能参数。
图表编号 | XD0089668300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.09.24 |
作者 | 沈赵琪、程敬招、张小凤、黄微雅、温和瑞、刘诗咏 |
绘制单位 | 江西理工大学冶金与化学工程学院、江西理工大学冶金与化学工程学院、江西理工大学冶金与化学工程学院、江西理工大学冶金与化学工程学院、江西理工大学冶金与化学工程学院、江西理工大学冶金与化学工程学院 |
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