《表1 不同样品的生长参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《1.55μm通信波段InAs/GaAs量子点制备方法研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

为研究InGaAs渐变层的不同最大In组分、有源区InAs量子点淀积量等不同外延结构对InAs量子点形貌及其发光的影响，设计生长了不同样品，深入研究了不同外延结构和生长条件对有源区In As量子点发光性能的影响，生长样品的参数如表1所示。