《表2 Ce O2NT/ASC与Ce O2NP/ASC的表面原子浓度》

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《活性半焦表面负载CeO_2纳米管的制备及其低温脱硝机理》

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CeO2NT/ASC与CeO2NP/ASC的Ce 3d谱图见图6a和图6c，相应的表面原子浓度列于表2。位于882.2，888.6，898，900.7，907.2，916.35 eV处的XPS峰可归属于Ce4+，而在880.6，884.4，903.9，899.3 eV处的峰归属于Ce3+[10]。由表2可知:CeO2NT/ASC与CeO2NP/ASC表面Ce原子浓度表明，CeO2纳米管结构有利于更多的Ce暴露在表面。通过解谱分析得出，CeO2NT/ASC与CeO2NP/ASC表面的Ce3+比例分别为37.71%和36.57%。基于新的制备方法得到的纳米管电子传输快速，有效改善了Ce3+的相对含量。Ce3+的存在可导致电荷不平衡，产生晶格氧缺陷，这将导致氧空位和不饱和化学键，从而在表面上产生更多的化学吸附氧或弱吸附物质[11]。此外，Ce3+的产生还可以促进NO的氧化[12]。