《表1 Ce O2NT/ASC和Ce O2NP/ASC的孔隙结构》

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《活性半焦表面负载CeO_2纳米管的制备及其低温脱硝机理》

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通过BET方法计算比表面积，采用BJH方法对N2等温吸脱附曲线的脱附支计算中孔体积和平均孔径，相关数据列于表1。可知:CeO2NT/ASC的比表面积略小于CeO2NP/ASC，可归因于在ASC表面CeO2纳米管的致密生长，阻塞了ASC的孔结构并导致比表面积降低。而两者在平均孔径和中孔体积方面几乎无差别。