《表1 刻蚀后HfO2样品的EDX分析》

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《微波ECR等离子体刻蚀AAO模板中HfO_2薄膜的研究》

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高深宽比的AAO模板中的HfO2的刻蚀速率是微波功率、负脉冲偏置电压、CF4/Ar/O2混合比（Ar含量在0～100%）和工作气压的函数。在固定负脉冲电压100 V，CF4/Ar/O2为15 mL/min、20 mL/min、5 mL/min，工作气压0.2 Pa，刻蚀时间10 min时，改变微波功率，HfO2的刻蚀速率呈上升趋势，如图3（a）所示。在固定微波功率500 W，CF4/Ar/O2为15 mL/min、20 mL/min、5 mL/min，工作气压0.2 Pa，刻蚀时间10 min时，改变负脉冲偏置电压，HfO2的刻蚀速率呈上升趋势，如图3（b）所示，但随着负脉冲偏置电压的增加，基片台有变黑趋势，通过EDX成分分析发现，生成的黑色物质是C，如表1所列，表明随负脉冲偏置电压的增加，气体中含C物质更容易离解，同时含有较多的能量，对基片台表面进行轰击，造成更多的C物质在基片台表面沉积。