《表2 HfO2样品的热膨胀系数》
通过拟合原位变温PDF数据,两组样品的本征热膨胀性能被提取出来,见表1。测试温度范围是-100到200℃,涵盖了HfO2作为电子元器件材料服役温度的极限情况。从表1中数据可知,随着颗粒尺寸的减小,HfO2的单胞参数中a、c收缩,β角减小而b增大,导致单胞呈现一个趋向高温稳定相四方相的变化。已有实验证明,当材料尺寸足够小时,由于表面应力的增加使得材料的高温相在低温时能稳定存在[14]。因此该变化可认为是由于尺寸减小后表面应力的增加造成的。体相HfO2的晶格热膨胀显示出较强的各向异性[15-16],a、c轴随温度增大而呈现出正膨胀行为,b轴正膨胀较小。纳米化后其各向异性的特性增强,从表2数据可知,a、c轴的热膨胀性随晶粒尺寸的减小而增大,b轴热膨胀性稍微减小,最后导致体积的热膨胀性增大,如图5所示。
图表编号 | XD008248900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.11.10 |
作者 | 孙静、李强、林鲲、刘占宁、邢献然 |
绘制单位 | 北京材料基因工程高精尖创新中心、北京科技大学固体化学研究所、北京材料基因工程高精尖创新中心、北京科技大学固体化学研究所、北京材料基因工程高精尖创新中心、北京科技大学固体化学研究所、北京材料基因工程高精尖创新中心、北京科技大学固体化学研究所、北京材料基因工程高精尖创新中心、北京科技大学固体化学研究所 |
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