《表1 谐振腔的主要结构参数》

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《基于半模基片集成波导的片上小型化太赫兹滤波器》

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从图2仿真结果可以看出，在相同尺寸下，加载了CSRR的HMSIW谐振腔比单一的HMSIW谐振腔有着更低的谐振频率，这表明单一的HMSIW谐振腔要想获得和HMSIW-CSRR谐振腔相同的频率谐振，HMSIW谐振腔必须扩大整个谐振腔的尺寸，这无疑会使得滤波器的整体尺寸变大。与此同时，无论是谐振腔的基模或第一高次模，HMSIW-CSRR谐振腔的无载品质因数与HM SIW谐振腔相比都有所下降，这是因为金属层上蚀刻出的CSRR存在辐射损耗，其使得HMSIW-CSRR谐振腔的无载品质因数下降。除此之外，HMSIW谐振腔的电场主要分布在谐振腔的介质中，即电磁能量主要被限制在谐振腔中，因此只能通过改变谐振腔的尺寸来调节HMSIW谐振腔的谐振频率，这使得设计的自由度降低。而HMSIW-CSRR中的电场一部分在CSRR缝隙处，一部分在介质中，即电磁能量分布在介质和CSRR中，因此可以通过调节CSRR或谐振腔的尺寸来改变HMSIW-CSRR谐振器的谐振频率，这使得该谐振器在实际的设计中更加灵活。表1中显示了图2（a）中HM SIW谐振腔和HM SIW-CSRR谐振腔的详细结构参数。