《表1 不同F/Sn比下的晶粒尺寸 (D) 、 (200) 面和 (110) 面织构系数》

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《气溶胶辅助CVD法制备F掺杂SnO_2薄膜及其性能》

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前驱液中不同F/Sn下FTO薄膜表面形貌如图2所示。可以看出，薄膜表面平整，颗粒堆积紧密，轮廓尖锐清晰，连续性好，致密度高。不同F掺杂量下，薄膜表面颗粒形状变化不是非常明显，这是因为FTO薄膜的择优取向仍然是非常显著的（200）晶面。随F含量的增大，颗粒形貌稍微趋向于圆形，这可归因于沿（110）晶面方向生长趋于明显[16]，这可通过其织构系数增大（表1）看出；但其颗粒尺寸变化较大，未掺杂表面颗粒最大，随F含量的升高，颗粒变小。掺杂水平的晶粒尺寸的演变证实，SnO2晶体中F–离子的存在会扰乱晶粒生长。通过SEM图像可看到表面颗粒尺寸随F/Sn比变化的趋势与XRD计算得到晶粒尺寸变化（表1）相一致，即在未掺杂时，颗粒尺寸最大。采用EDS对FTO薄膜中F含量进行半定量测定，并将其含量列于表2中。可以看到，随着前驱液中F含量的增加，FTO薄膜中F含量也呈现增加的趋势。虽然前驱液中已经有非常大量的F，但是真正进入SnO2晶格中的F却非常少量，仅在2.4%以下，这主要是由于AACVD法制备时有很大的损耗量。