《表1 各开关特性比较：漂移阶跃恢复二极管研究进展》

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《漂移阶跃恢复二极管研究进展》

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文献[3]比较了DSRD、可控硅整流器和晶闸管等半导体开关器件的特性，如表1所示。可以看出，与其他开关器件相比较，DSRD的脉冲上升时间可降至100ps，重复频率高达1 MHz，而且具有输出阻抗低、尺寸小、成本低、寿命长、效率高的特点，因此以DSRD为代表的功率半导体开关器件在脉冲功率技术领域有巨大的发展空间。