《表1 电力电子开关特性比较》
高压半导体开关是多功能发生装置的核心部分,每个单元中都需要高压电力电子开关的配合,由于系统的严格要求,高压半导体开关不仅要能够承受30 kV以上的电压,而且开断速度要快,体积小,重量轻。比较传统的电力电开关,综合考虑开关性能和成本,研制了以多路IGBT串联为基础的高压半导体开关,并满足耐压高、通断速度小于400 ns、光电隔离等要求,见表1。实物图见图4。采用圆形电路板设计,易于拓展,满足30 kV耐压需求,每个开关板由5个IGBT串联组成,每个IGBT单元由相关的驱动电路、供电电路和均压保护电路组成。
图表编号 | XD00157028000 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.07.16 |
作者 | 郭建钊 |
绘制单位 | 国网福建省电力有限公司泉州供电公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |