《表1 电力电子器件性能对比》
IGBT、IEGT和IGCT都是具备大容量关断容量的半导体器件。IGBT和IEGT的最大可关断电流取决于其电流传导能力,IGCT的最大可关断电流取决于电流从阴极到门极的换相能力,三者的开断能力并没有太大差异;IGCT的导通压降最低,在125℃,6kA条件下,IG-BT、IEGT和IGCT的导通压降分别为5.7、3.6、2.6V;IGCT是流控型器件,通过驱动电路向门极注入或抽出大电流实现开通和开断,相较压控型的IGBT和IEGT,抗干扰能力更强[14]。三者的性能对比见表1。
图表编号 | XD00219912500 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.09.10 |
作者 | 喻泉、黄彦全、宾丁炜 |
绘制单位 | 西南交通大学电气工程学院、西南交通大学电气工程学院、西南交通大学电气工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |