《表3 不同沉积压力下的I-V特性数据比较Tab.3 Comparison of I-Vdata of different pressure》

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《氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究》

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反应压力增加，等离子体离子浓度提升，因而膜层沉积速率显著增加。在本实验中，随着压力的提高，膜层致密性也逐渐变好，如图6所示（反应条件为:温度200℃，正负电极间距700mm，功率12kW）。致密性的提升一方面是由于压力提升，反应离子之间结合更加紧密；另一方面，高压力下H原子更易进入到沉积膜层内部，与膜层内部的悬挂健和缺陷结合，进一步提升了膜层致密性。图7中的I-V可以解释这一观点，在较大的沉积压力下，H原子更易进入膜层，还原氧化物半导体造成I-V左移。当气压增加到266Pa时，氧化物半导体直接导体化，TFT开关失效。然而，压力为66Pa时，SEM图可见此反应压力下的膜层较200Pa的膜层疏松，孔状结构明显，I-V曲线也较差。考虑到膜层疏松对于后期工艺过程的耐受性以及产品的信赖性，过低的反应压力也是不可取的。表3所示，可知沉积压力为66Pa和200Pa的I-V数据未见太明显差异，综合考虑，我们选择200Pa为最优沉积压力。