《表4 不同沉积功率下的I-V特性数据比较Tab.4 Comparison of I-Vdata of different power》

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《氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究》

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如图8所示，当沉积功率为6kW时，I-V曲线存在明显的驼峰效应，Vth明显较大。据表4所示I-V数据可知，沉积功率逐步增加，Vth随之也逐步减少。然而，功率提升到18kW时，I-V曲线的均匀性变差，说明反应功率增加而带来的等离子体强度增加也会造成TFT特性的不均。我们分析为功率增加，正负电极间距维持不变的情况下，等离子体对于IGZO背沟道以及本体的轰击强度会逐步增强，对于H+或者OH-这种小离子很容易进入IGZO本体而还原IGZO，造成IGZO导电性增加，致使TFT稳定性变差。反应功率增加，离子反应活性增加，亚稳结构含量减少，膜层致密性增加。也就是说当ESL沉积功率较小时，等离子体强度不够，SiH4解离出来的H+对IGZO还原能力减弱，N2O解离得到的O与IGZO中的金属离子结合比与Si原子结合更加容易，因而IGZO半导体处于一个富氧的状态。因而，ESL沉积功率较低时，TFT的开启电压会明显较高。图8和图9分别为反应功率为6，12，1 8kW下ESL膜层的SEM图片和I-V曲线（反应条件为:温度200℃，压力200Pa，正负电极间距700mm）。