《表4 远紫外作用下PI薄膜N元素的化学价键变化Tab.4 Change in chemical bond of N in PI film under FUV irradiation》

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《空间远紫外辐照聚酰亚胺薄膜力学性能演化机理》

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远紫外辐照下N元素的化学价键变化分析见表4、图6。由表4和图6分析可知，峰位399.81、400.4、400.8 e V分别代表—N（C （O）） 键、C—N键和游离的N。随着远紫外曝辐量的增加，游离N的含量逐渐增加，C—N键的含量逐渐减小，这说明C—N键的断裂增加，同时有游离的N生成。