《表3 远紫外作用下PI薄膜O元素的化学价键变化Tab.3 Change in chemical bond of O in PI film under FUV irradiation》
远紫外辐照前后O元素的化学价键及其变化见表3、图5。由表3和图5分析可知,峰位531.8、532.2、533.1 e V分别代表C=O键、—N(C (O)) 键和C—O—C键。在远紫外辐照作用下,薄膜材料中C—O—C发生断裂,导致C—O健的含量降低,并引起C=O价健含量的升高。随着曝辐量的增加,进一步发生分子链的交联,微观表现为C—O—N价键含量的升高和C—O—C价健含量的进一步降低。在宏观上则表现为薄膜材料的抗拉强度先降低后升高。在远紫外曝辐量为300 ESH时,薄膜材料中的C—O—C价键完全断裂,宏观表现为此时的抗拉强度最小。
图表编号 | XD004080100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.05.20 |
作者 | 沈自才、马子良、代巍、牟永强、白羽、丁义刚 |
绘制单位 | 北京卫星环境工程研究所、北京卫星环境工程研究所、北京卫星环境工程研究所、北京卫星环境工程研究所、北京卫星环境工程研究所、北京卫星环境工程研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
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