《表1·CH3、·CH3-1、·SiH3和·SiH3-1的自然键电荷数》
分子中的原子(atoms in molecules,AIM)理论[17]认为,键临界点(BCP)出现在相邻的相互作用的原子之间,该点是描述相应2个原子相互作用的最关键的点,它的性质常被用来讨论成键特征。图1所示为4种结构的拓扑分析结果,表4所示为·CH3、·CH3-1、·SiH3和·SiH3-1的电子密度(ρ)、Laplacian电子密度(2ρ)、Hessian矩阵的本征值(λ1,λ2,λ3)。图1所示的红球表示临界点的位置。由图1可见,·CH3和·CH3-1的键临界点靠近H原子的一侧,而·SiH3和·SiH3-1的键临界点相对来说处于中间略偏向Si原子一侧。由表4可以看出,平面结构和锥形结构的临界点的电子密度、Laplacian电子密度值、Hessian矩阵的本征值不同,特别有趣的是,·CH3和·CH3-1的Laplacian电子密度值的符号为负,而SiH3和SiH3-1的Laplacian电子密度值的符号为正。以上结果表明,由于平面结构和锥形结构的差异,造成键临界点拓扑性质的差异;由于C/Si与H的电负性的差异,导致中心原子C显负电性,而中心原子Si显正电性,从而造成·CH3平面结构相对稳定,而·SiH3的锥形结构相对稳定。
图表编号 | XD0031120100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.18 |
作者 | 吕仁庆、吴冲冲、王芳、王淑涛、崔敏 |
绘制单位 | 中国石油大学(华东)理学院、卡尔加里大学化学与石油工程系、中国石油大学(华东)理学院、中国石油大学(华东)理学院、中国石油大学(华东)理学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |