《表2 不同金属化工艺的750A/6 500V IGBT模块静态参数》
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《基于全铜工艺的750A/6500V高性能IGBT模块》
基于全铜工艺的高压大容量750A/6 500V IGBT模块静态测试结果见表2，铜工艺模块比铝工艺模块高温通态压降减小了10%。
| 图表编号 | XD00219907900 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.11.10 |
| 作者 | 刘国友、罗海辉、张鸿鑫、王彦刚、潘昭海 |
| 绘制单位 | 新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代电气股份有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代半导体有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代半导体有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代半导体有限公司、新型功率半导体器件国家重点实验室、株洲中车时代半导体有限公司 |
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