《表1 待测IGBT模块的主要性能参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《一种符合欧姆定律的IGBT等效电阻模型》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

本文所研究的斯达某型1 200V/50A模块为典型的焊接式封装结构，其内部结构如图4所示。该模块为半桥结构，包括两支IGBT芯片和两支二极管芯片。模块在纵向上有7层结构组成，分别为芯片层、芯片焊料层、上铜层、陶瓷层、下铜层、衬底焊料层以及基板。其中芯片层上表面镀有铝金属薄层；上下铜层通过“直接键合”覆盖在陶瓷层表面；键丝通过超声波焊接与芯片层及上铜层相连。该型模块的主要性能参数见表1。