《表1 铜和铝材料的物理性能》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于全铜工艺的750A/6500V高性能IGBT模块》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

铝和铜材料先后被引入半导体工艺作为电气互连材料。随着工艺尺寸的减小，金属连线中电流密度逐渐增大，响应时间不断缩短，传统铝互连已经接近其工艺极限，铜互连工艺逐渐成为主流，但功率半导体铝工艺仍然占主导。表1给出了铜和铝材料物理性能比较情况。铜材料电阻率是铝的60%，比铝具有更好的导电与导热性能[10]；弹性模量是铝材料的2～3倍，延展性好且易于键合操作；比铝有更高的抗电迁移性能[12]，采用铜来替代铝作为芯片金属化和互连引线的材料有利于降低IGBT功率损耗，提升芯片散热能力，提高模块功率密度和可靠性。