《表1 不同N2流量下Ni Ti C涂层的Ni/Ti原子比》

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《N_2流量对磁控溅射制备NiTiC电阻涂层结构和电性能的影响》

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由表1可知，控制腔体内的N2流量5 m L/min时，靶材溅射颗粒和N等离子体碰撞过程中动能损失更低，可以在基体上沉积得到更多Ni、Ti颗粒，因为Ti元素可以获得比Ni元素更快速的溅射速度，导致涂层内可以获得更多的Ti原子，Ti与Ni的原子比不断增大。随着N2流量从5 m L/min提高至15 m L/min的过程中，Ti和N发生更剧烈反应，之后Ti能量降低，沉积速率逐渐变小，这使得涂层内出现Ti原子比例减小的结果。提高N2流量至20 m L/min时，发生了Ni、Ti原子比快速降低，可以推断此时靶材存在中毒的情况，这对Ni Ti C合金靶溅射过程造成了较大影响。