《表1 不同Ni/Ti比下获得的Ni-Ti-O纳米片阵列的EDS能谱分析结果》

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《Ni-Ti-O纳米片/泡沫镍复合电极的显微结构及其电化学性能》

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图2是热扩渗Ti之后，Ni-Ti-O纳米片阵列的形态。如果扩渗温度过高，水热合成的Ni（OH）2纳米片结构会被严重破坏，且渗钛加剧，泡沫镍基体会变得很脆，容易破裂；而温度过低，则会降低渗钛效率。实验表明，450℃渗钛是适宜的温度。为了探究不同渗钛量对于Ni-Ti-O纳米片阵列的影响，在密封罐中放入了不同量的钛粉。图2a~2d是泡沫镍和钛粉质量比（RNi/Ti）分别为1:8，1:16，1:24，1:32条件下制备的Ni-Ti-O纳米片阵列。可以看到，Ni-Ti-O纳米片阵列和NiO纳米片阵列（图1d）非常相似，随着钛粉的量增加，纳米片阵列转化成为一层多孔的膜层。可见钛粉确实渗入了镍支架上NiO纳米片阵列中，并且钛粉在纳米片阵列中的含量也不断增加。表1是不同Ni/Ti比下制得的Ni-Ti-O纳米片阵列的EDS能谱分析结果，随RNi/Ti从1:8变化到1:32，镍支架表面的Ti含量也从0.31%增加到了0.63%。