《表3 Three-zone JTE终端优化参数Tab.3 Optimal parameters for the three-zone JTE》

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《12kV 4H-SiC N沟道IGBT的设计与实现》

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为了解决SZ-JTE终端保护效率对界面电荷和激活剂量极其敏感的问题，本研究中采用了如图5（b）所示的Three-zone JTE（三区结终端扩展）。Three-zone JTE，将传统的SZ-JTE分割为了三个JTE结构。Three-zone JTE中各个JTE的长度和掺杂浓度都不一定相等。假定终端的实际保护效率为80%，终端的实际击穿电压应该为15kV，文中通过优化得到的一组参数如表3所示。终端的总长度为650μm。终端的击穿电压为终端在12kV阻断时的电场分布如图6所示。