《表2 实验组三和对比组三黑硅组件封装电性能数据》

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《多晶黑硅太阳能组件性能的优化》

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表2给出了按照实验组三和对比组三两组实验材料封装后的太阳能组件封装电性能的对比数据。从表中可以看出，实验组三较对比组三的组件串阻降低0.05Ω，组件输出功率提升了0.45 W，ΔPmpp=0.45 W。这是由于互联条的高度增加降低了互联条的电阻，在太阳能组件串联封装后减小了串阻，从而减少了因组件串联电阻引起的热损耗，提升了组件输出功率。所以，增加互联条的厚度对黑硅组件功率的提升具有很大的贡献。