《表2 不同强度电磁场对苦瓜酶活力的影响》

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《高压静电场胁迫对苦瓜生理代谢及主要害虫与天敌种群的影响》

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不同电磁场强度对苦瓜叶片酶活力的影响如表2所示。在花期，曝露在电磁场强度为2 k V/m的苦瓜POD活性显著高于0 k V/m和10 k V/m（P<0.05），在结实期，曝露在电磁场强度为2 k V/m的苦瓜叶片POD活性显著低于10 k V/m的（P<0.05）。3种电磁场处理对苦瓜苗期和花期叶片SOD活力无显著影响（P>0.05），而在苦瓜结实期，10 k V/m处理组苦瓜叶片SOD活力显著高于0 k V/m和2 k V/m处理组（P<0.05）。3种电磁场处理对苦瓜苗期、花期和结实期叶片CAT活力无显著影响（P>0.05）。3种电磁场处理对苦瓜苗期和结实期叶片GST活力无显著影响（P>0.05），而0 k V/m处理组在苦瓜花期显著高于0 k V/m与2 k V/m处理组（P<0.05）