《表1 正交试验因素水平表》

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《金属螯合制备AZO@TiO_2导电晶须及其性能研究》

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为了进一步优化AZO@TiO2导电晶须的制备工艺及探讨各因素对晶须导电性能的影响，在单因素试验的基础上选择三个水平，设计四因素三水平正交试验优化工艺，正交试验表如表1所示，正交试验的结果如表2所示。由正交试验的极差分析可知，在进一步选择因素后，对导电性能的影响大小为包覆比>煅烧温度>掺杂比例>乙酰丙酮比例，正交试验所得的AZO@TiO2导电晶须的表面电阻率最低为0.335kΩ·cm，结合单因素试验的结果分析，实验的最佳工艺参数为A2B2C2D2，即35%包覆比，4%掺杂比，500℃煅烧温度，乙酰丙酮比例为6，此时制得的AZO@TiO2导电晶须的表面电阻率最低，为0.318kΩ·cm。