《表1 金属微结构的详细参数》

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《基于电磁场作用增强的超材料吸收体太赫兹微流传感器》

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图1(a）和（b）分别为设计的传感器结构单元的斜视图和展开图。从图1(a）和（b）可以看出，传感器结构单元由介质层、金属微结构、微流通道、金属反射层和基底层组成，结构单元的周期Dx=Dy=120μm。此外，介质层采用无损耗介质材料聚四氟乙烯（Polytetrafluoroethylene，PTFE），其相对介电常数为1.84，厚度h1=4μm。金属微结构和金属反射层所用材料为银（Ag），电导率σAg=6.3×107S/m，两者厚度均为0.2μm。微流通道位于介质层和金属反射层之间，厚度h2=6μm。基底层采用的材料为高阻硅（Silicon），其介电常数为11.9，厚度h3=100μm。图1(c）为结构单元俯视图，图中的金属微结构由正方形金属环（Square Metal Ring，SMR）和双“H”型交叉金属结构（Double H-shaped Cross Metal Structure，DHCMS）组成，其中两个“H”型金属结构完全相同。经优化设计，金属微结构的详细尺寸参数见表1。