《表3 20-MHz Si方案2种结构变压器详细参数对比》

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《GaN超高频谐振反激变换器》

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步骤3将绕组两两配对，并找出满足互感要求的绕组。应用MATLAB程序可完成以上计算。以表2所示的外参数为例，表3给出了20-MHz Si方案的2种结构变压器的参数对比。可见垂直螺旋结构外径约为平面螺旋结构的2倍，虽然垂直螺旋结构铜损比平面螺旋的小18%，但体积是后者的4倍。因此，为提高功率密度，本文所述方案均采用平面螺旋结构。