《表5 凹字形离子源工艺参数记录表》

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《聚碳酸酯高强度超低反射率薄膜的研制》

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膜裂是由于薄膜应力的存在，一般压应力和张应力交替出现可以削弱薄膜中累积应力，但从图5两种材料的拟合应力数据可知，两种材料均为压应力，表明膜层聚集密度较高，导致膜层之间的应力不能释放.为此提出凹字形离子源能量工艺，3～7层使用低能量离子源辅助沉积，使膜层疏松多孔，从而释放应力，通过不断试验，最终确定的离子源工艺参数如表5所示.经过测试，膜层牢固度较好，未出现膜裂.使用台阶仪测量镀膜前后表面的曲率半径，根据曲率变化计算出薄膜应力σt，如表6所示.