《表1 不同脉冲宽度下的最大结温》

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《基于红外微波MMIC芯片脉冲工作下瞬态热特性研究》

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由于器件电容充放电的影响和芯片热容的作用，脉冲结束后芯片沟道通常还有μs级的升温过程，仪器可以采集到的最高温度通常不是波控电路脉冲结束时刻点的温度（例如图6中设备采集到的最高温度是502.5μs时刻的温度，比波控脉冲结束500μs时刻的温度高）。为了修正数据读取的误差，更准确地读取脉冲结束时的最大结温，将红外测量得到的升温过程中的时间和温度数据带入到重复脉冲下升温公式（4）中，计算得到脉冲结束时的峰值温度。表1对同一晶圆批中的3只X波段砷化镓MMIC芯片在不同脉冲宽度下的最大结温进行了计算，计算结果如表1所示。