《表1 近年来改进PSRR性能参数的LDO对比Tab.1 Performance parameters comparison of different PSRR-enhanced LDOs》
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《用于无源RFID标签的拓展PSRR带宽无片外电容LDO》
表1显示了近年来改进PSRR的LDO的性能对比。从表1中可以看出,本文所设计的LDO具有0.33~3.4μA的极低静态电流和0~25μA的负载范围;对转换效率和PSRR性能进行了适当折衷,在88%的电源效率(ηD)下有效地拓展了PSRR带宽,达到了-46 d B@1 MHz的PSRR性能,满足了极低功耗无源RFID标签的设计需要。
图表编号 | XD00188429400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.06.03 |
作者 | 杨清山、梅年松、张钊锋 |
绘制单位 | 中国科学院上海高等研究院、中国科学院大学、中国科学院上海高等研究院、中国科学院上海高等研究院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |