《表2 人工耳蜗电极中心相对于圆窗中心的位置》
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《基于集总参数模型的人工耳蜗圆窗植入位置对残余听力影响分析》
本文以圆窗膜中心点为参考,改变植入电极中心与其的相对偏移位置,选取了10种植入电极相对圆窗膜中心点的偏移方案。图8为带有植入电极的圆窗膜示意图,本研究将圆窗膜简化为椭圆平板结构,长轴半径为2.9 mm,短轴半径为1.2 mm,植入电极半径为0.65 mm。以圆窗膜中心点为参考零点,植入电极中心相对的长轴及短轴的偏移量分别为Δa和Δb。提出的10种植入方案M1~M10的CI植入电极中心相对圆窗中心位置偏移量如表2所示。
图表编号 | XD00179903800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.06.15 |
作者 | 倪广健、庞嘉、高搏、蒋刈、戴朴、明东 |
绘制单位 | 天津大学精密仪器与光电子学院生物医学工程系、天津大学医学工程与转化医学研究院、天津大学精密仪器与光电子学院生物医学工程系、解放军总医院耳鼻咽喉头颈外科、解放军总医院耳鼻咽喉头颈外科、福建医科大学省立临床医学院福建省立医院耳鼻咽喉科、解放军总医院耳鼻咽喉头颈外科、天津大学精密仪器与光电子学院生物医学工程系、天津大学医学工程与转化医学研究院 |
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