《表3 锡膏A与锡膏B在110 V下的枝晶图》

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《锡膏应用可靠性研究》

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锡膏A与锡膏B在110 V下的枝晶图见表3。对比表3锡膏A及锡膏B的枝晶图可知，锡膏A枝晶生长端为引脚侧，锡膏B为接地侧，由上文可知皆为负极，表明枝晶是由负极开始生长的，与锡、铜等离子电子迁移沉积方向一致。