《表2 晶粒团簇I,II和III内晶粒取向》

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《基于Σ3~n晶界调控GH3625合金晶界特征分布》

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同时，对晶粒团簇I，II和III内每两个相邻的晶粒取向进行分析，可得到以下结果，如表2所示。从表2中看出，在同一个晶粒团簇内的晶粒之间，具有Σ3n的取向关系。比较I，II和III区域发现，晶粒团簇尺寸随着冷变形量的增加而减小。其中ε=35%时，合金中低ΣCSL晶界比例最高，所对应的晶粒团簇尺寸最大，约为100μm；而ε=65%时，合金中低ΣCSL晶界比例最低，所对应的晶粒团簇尺寸最小，约为50μm。这是由于GH3625合金在退火过程中很容易形成退火孪晶，发生多重孪晶现象形成高次孪晶，从而构成很长的孪晶链[27-28]。形变量越大，再结晶形核位置越多，所需的形核功降低，再结晶晶核长大的空间就很小，没有更多的机会产生多重孪晶，难以形成大尺寸的晶粒团簇组织，导致低ΣCSL晶界比例低。因此，晶粒团簇尺寸随着冷变形量的增加而降低。