《表2 不同厚度层不同取向晶粒内的储存能及用于计算的相关参数》

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《交叉轧制周期对高纯Ta板变形及再结晶梯度的影响》

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利用式（1）计算1和2周期Ta板不同厚度层（表面、中间及中心层）晶粒内不同取向晶粒的储存能，其中Ta的Young's模量和Poisson比见参考文献[21～23]，相关计算结果如表2所示。可以看出，1周期Ta板沿厚度方向的储存能分布明显不均匀，中心层的储存能显著地高于表面层，而中间层的储存能最低。此外，{111}与{100}取向晶粒内部的储存能相差也较大，特别在中心层。相反，2周期Ta板沿厚度方向的储存能分布较为均匀，同时{111}与{100}取向晶粒之间的储存能差明显减小。