《表5 EBSD半定量评估Ta板表面和中心层{111}和{100}晶粒内的储存能及相关参数》

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《交叉轧制周期对高纯Ta板变形及再结晶梯度的影响》

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式中，Hi为扫描位置i的储存能，Qi（gi）为取向gi扫描位置i的花样质量，Qmax和Qmin分别为扫描区域花样质量的最大值与最小值。相关的参数及局部储存能如表5所示。结合表5，可以发现1周期Ta板中心层{111}晶粒内出现的大量MSBs显著地提高了基体内的局部储存能。这为基体再结晶提供了良好的形核位和驱动力，使得退火时中心层的再结晶速率远高于表面。而2周期Ta板表面和中心层晶粒内部均的发生，另一方面有利于Ta板表面和中心的再结晶匀的微观组织和较低的储存能一方面延缓了再结晶动力学保持一致。