《表1 不同硬金内的杂质含量（at%）以及晶粒大小和硬度》

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《电镀硬金的研究现状》

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软金的沉积过程为第一种方式，而硬金的沉积则为第二种方式。研究表明[10-11]，在低过电位下，若AuCN|ads放电过程受到阻碍，被吸附到阴极表面的AuCN将部分残留在金镀层中。如AFHG的沉积就是通过提高金镀层中残留的AuCN含量来达到硬化效果的。Co和Ni在Au基底沉积时发生欠电位共沉积[8，12]，导致反应式（3）的电转移过程活化能提高，AuCN|ads放电受到抑制，因而CoHG和NiHG镀层中也含有少量AuCN，同时还存在Co或Ni的氰化物。如在CoHG镀层中已被证明包含的Co[Au（CN）2]2[13]、K3Co（CN）6和/或K4Co（CN）6[4，14]；NiHG镀层也包含类似的氰化物，不同硬金的杂质含量[6，15]见表1。这些镀层中夹杂的微量氰化物会抑制Au晶粒的长大，同时提高形核速率，产生了晶粒细化作用，因而提高了镀层的硬度。Lo[16]通过对比电镀硬金薄膜与磁控溅射的金薄膜，指出电镀硬金硬化的主要原因是细晶强化，而不是固溶强化、沉淀硬化和应力强化。硬金镀层的硬度与晶粒尺寸的关系遵循Hall-Petch公式。如CoHG的硬度随镀层中Co含量（低于1.2%）的提高而提高，硬度提高的原因不是镀层中钴的氰化物钉扎位错，而是其促进了金镀层晶粒的细化[13]。此外，硬金中通常含有少量的K元素，但是其对镀层的影响目前尚不清楚[14]。