《表1 3D NAND Flash存储型态别主要特性比较》

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《2019年全球集成电路技术发展与主要产品分析》

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资料来源：DIGITIMES Research(IC制造）研究报告，DIGITIMES整理

在技术进步方面，3D NAND Flash追求高容量一直是一个发展方向。目前大多数SSD闪存颗粒主要是TLC、MLC、SLC三种类型，表1是3D NAND Flash四种存储类型的性能比较。其中，三层存储单元的TLC因3bits/cell的高存储容量、且擦写寿命从最初500～1 000次提高到目前的1 000～2 000次水平，已取代了MLC和SLC。同时，4bits/cell的QLC因技术进步使其擦写寿命逐步接近TLC水平而闪亮登场。2017年7月，东芝/西数就率先宣布了QLC闪存开发成功，核心容量768GB，创造了NAND容量新纪录。2018年7月，东芝/西数又宣布成功开发采用96层Bi CS4架构的第二代QLC，单芯片容量最高可达1.33Tb(1 660GB），并将量产。QLC的闪亮登场，使SSD硬盘容量可达10TB以上，如美光发布的QLC硬盘为7.6TB，而英特尔也将推出20TB的QLC硬盘。未来，QLC闪存一旦大规模量产，用它做的SSD硬盘写入速度可能也就是200～300MB/s左右。